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后段制程及其他技术

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后段制程及其他技术- 切割

后段制程及其他技术- 切割
DicingSaw-12

切割制程至多可达12吋。

后段制程及其他技术- 晶圆研磨

后段制程及其他技术- 晶圆研磨
Wafer-11

6吋、8吋及12吋的晶圆研磨制程均有支援,其中12吋晶圆的最小厚度可达10mil、8吋晶圆可达6mil、6吋晶圆可达6mil。

后段制程及其他技术- 后段制程

后段制程及其他技术- 后段制程
Backend-10

后段的​​包装方式从塑形封装、液态封胶、密封金属盖、密封陶瓷盖、一般胶装等服务均有提供。
JEDEC tray、tubes、tape &reel的自动导入均具备。
YAP雷射等技术支援成品的印记程序。
LGA及BGA均可支援。



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